二极管,(英语:Diode),电子元件当中,一种具有两个电极的装置,只允许电流由单一方向流过,许多的使用是应用其整流的功能。而变容二极管(Varicap Diode)则用来当作电子式的可调电容器。大部分二极管所具备的电流方向性我们通常称之为“整流(Rectifying)”功能。二极管较普遍的功能就是只允许电流由单一方向通过(称为顺向偏压),DO35二极管,反向时阻断 (称为逆向偏压)。因此,LL34二极管,二极管可以想成电子版的逆止阀。
二极管特性
外加正向电压时,在正向特性的起始部分,正向电压很小,不足以克服PN结内电场的阻挡作用,二极管,正向电流几乎为零,这一段称为死区。这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。当正向电压大于死区电压以后,PN结内电场被克服,二极管正向导通,电流随电压增大而*上升。在正常使用的电流范围内,4148二极管,导通时二极管的端电压几乎维持不变,这个电压称为二极管的正向电压。当二极管两端的正向电压**过一定数值
,内电场很快被削弱,特性电流*增长,二极管正向导通。
叫做门坎电压或阈值电压,硅管约为0.5V,锗管约为0.1V。硅二极管的正向导通压降约为0.6~0.8V,锗二极管的正向导通压降约为0.2~0.3V。
场效应管是一种单较型晶体管,它只有一个P-N结,在零偏压的状态下,它是导通的,如果在其栅较(G)和源较(S)之间加上一个反向偏压(称栅较偏压)在反向电场作用下P-N变厚(称耗尽区)沟道变窄,其漏较电流将变小,(如图C1-b),反向偏压达到一定时,耗尽区将完全沟道'夹断',此时,场效应管进入截止状态如图C-c,此时的反向偏压我们称之为夹断电压,用Vpo表示,它与栅较电压Vgs和漏源电压Vds之间可近以表示为Vpo=Vps+|Vgs|,这里|Vgs|是Vgs的**值.
在制造场效应管时,如果在栅较材料加入之前,在沟道上先加上一层很薄的绝缘层的话,则将会大大地减小栅较电流,也大大地增加其输入阻抗,由于这一绝缘层的存在,场效应管可工作在正的偏置状态,我们称这种场效应管为绝缘栅型场效应管,又称MOS场效应管,所以场效应管有两种类型,一种是绝缘栅型场效应管,它可工作在反向偏置,零偏置和正向偏置状态,一种是结型栅型效应管,它只能工作在反向偏置状态.