全桥的检测大多数的整流全桥上，均标注有“+”、“-”、“~”符号（其中“+”为整流后输出电压的正极，“-”为输出电压的负极，“~”为交流电压输入端），二极管，很*确定出各电极。Rac电子资料网 检测时，可通过分别测量“+”较与两个“~”较、两个“~”较与“-”较之间各整流二极管的正、反向电阻值（与普通二极管的测量方法相同）是否正常，即可判断该全桥是否已损坏。若测得全桥内四只二极管的正、反向电阻值均为0或均为无穷大，则可判断该二极管已击穿或开路损坏。
半桥的检测半桥是由两只整流二极管组成，通过用万用表分别测量半桥内部的两只二极管的正、反电阻值是否正常，HER二极管，即可判断出该半桥是否正常。
整流二极管，选用整流二极管时，主要应考虑其较大整流电流、较大反向工作电流、截止频率及反向恢复时间等参数。
普通串联稳压电源电路中使用的整流二极管，对截止频率的反向恢复时间要求不高，只要根据电路的要求选择较大整流电流和较大反向工作电流符合要求的整流二极管即可。例如，1N系列、2CZ系列、RLR系列等
整流二极管(rectifier diode)一种用于将交流电转变为直流电的半导体器件。二极管较重要的特性就是单方向导电性。在电路中，电流只能从二极管的正极流入，6A二极管，负极流出。通常它包含一个PN结，有正极和负极两个端子。其结构如图所示。P区的载流子是空穴，N区的载流子是电子，在P区和N区间形成一定的位垒。外加使P区相对N区为正的电压时，位垒降低，位垒两侧附近产生储存载流子，能通过大电流，具有低的电压降（典型值为0.7V），称为正向导通状态。若加相反的电压，使位垒增加，可承受高的反向电压，SKY 二极管，流过很小的反向电流（称反向漏电流），称为反向阻断状态。整流二极管具有明显的单向导电性。整流二极管可用半导体锗或硅等材料制造。硅整流二极管的击穿电压高，反向漏电流小，高温性能良好。通常高压大功率整流二极管都用高纯单晶硅制造(掺杂较多时*反向击穿）。这种器件的结面积较大，能通过较大电流（可达上千安），但工作频率不高，一般在几十千赫以下。整流二极管主要用于各种低频半波整流电路，如需达到全波整流需连成整流桥使用。
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