场效应管是一种单较型晶体管,它只有一个P-N结,稳压二极管,在零偏压的状态下,它是导通的,如果在其栅较(G)和源较(S)之间加上一个反向偏压(称栅较偏压)在反向电场作用下P-N变厚(称耗尽区)沟道变窄,其漏较电流将变小,(如图C1-b),反向偏压达到一定时,玻封二极管,耗尽区将完全沟道'夹断',此时,二极管,场效应管进入截止状态如图C-c,此时的反向偏压我们称之为夹断电压,用Vpo表示,它与栅较电压Vgs和漏源电压Vds之间可近以表示为Vpo=Vps+|Vgs|,这里|Vgs|是Vgs的**值.
在制造场效应管时,如果在栅较材料加入之前,在沟道上先加上一层很薄的绝缘层的话,则将会大大地减小栅较电流,也大大地增加其输入阻抗,由于这一绝缘层的存在,场效应管可工作在正的偏置状态,我们称这种场效应管为绝缘栅型场效应管,又称MOS场效应管,所以场效应管有两种类型,一种是绝缘栅型场效应管,它可工作在反向偏置,零偏置和正向偏置状态,一种是结型栅型效应管,它只能工作在反向偏置状态.
变容二极管常见用途:材料多为硅或砷化镓单晶,并采用外延工艺技术。反偏电压愈大,则结电容愈小。变容二极管具有与衬底材料电阻率有关的串联电阻。对于不同用途,应选用不同C和Vr特性的变容二极管,如有**于谐振电路调谐的电调变容二极管、适用于参放的参放变容二极管以及用于固体功率源中倍频、移相的功率阶跃变容二极管等。
用于自动频率控制(AFC)和调谐用的小功率二极管称变容二极管。通过施加反向电压, 使其PN结的静电容量发生变化。因此,被使用于自动频率控制、扫描振荡、调频和调谐等用途。通常,虽然是采用硅的扩散型二极管,但是也可采用合金扩散型、外延结合型、双重扩散型等特殊制作的二极管,因为这些二极管对于电压而言,其静电容量的变化率特别大。结电容随反向电压VR变化,取代可变电容,用作调谐回路、振荡电路、锁相环路,常用于电视机高频头的频道转换和调谐电路,多以硅材料制作。
串联型稳压电路(如图5):在此电路中,串联稳压管BG的基较被稳压二极管D钳定在13V,那么其发射较就输出恒定的12V电压了.这个电路在很多场合下都有应用。
晶体管射随电路
在很多的电子电路中,为了减少后级电路对前级电路的影响和有些前级电路的输出要求有较强的带负载能力(即要求输出阻抗较低)时,要用到缓冲电路,开关二极管,从而达到增强电路的带负载能力和前后级阻抗匹配,晶体管射随器就是一种达到上述功能的缓冲电路。
晶体管射随电路实际上是晶体管共发电路,它是晶体三极管三大电路形式之一(共基电路、共集电路、共发电路),它的电路基本形式如图A1所示.