二极管的电压与电流不是线性关系,所以在将不同的二极管并联的时候要接相适应的电阻。
特性曲线
与PN结一样,二极管具有单向导电性。硅二极管典型伏安
特性曲线(图)。在二极管加有正向电压,当电压值较小时,电流较小;当电压**过0.6V时,电流开始按指数规律增大 二极管,通常称此为二极管的开启电压;当电压达到约0.7V时,二极管处于完全导通状态 1N47系列二极管,通常称此电压为二极管的导通电压,用符号UD表示。
对于锗二极管,开启电压为0.2V 1N52系列二极管,导通电压UD约为0.3V。在二极管加有反向电压,当电压值较小时,电流较小,其电流值为反向饱和电流IS。当反向电压**过某个值时,电流开始急剧增大,称之为反向击穿 玻封二极管,称此电压为二极管的反向击穿电压,用符号UBR表示。不同型号的二极管的击穿电压UBR值差别很大,从几十伏到几千伏。
二极管特性
外加正向电压时,在正向特性的起始部分,正向电压很小,不足以克服PN结内电场的阻挡作用,正向电流几乎为零,这一段称为死区。这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。当正向电压大于死区电压以后,PN结内电场被克服,二极管正向导通,电流随电压增大而*上升。在正常使用的电流范围内,导通时二极管的端电压几乎维持不变,这个电压称为二极管的正向电压。当二极管两端的正向电压**过一定数值
,内电场很快被削弱,特性电流*增长,二极管正向导通。
叫做门坎电压或阈值电压,硅管约为0.5V,锗管约为0.1V。硅二极管的正向导通压降约为0.6~0.8V,锗二极管的正向导通压降约为0.2~0.3V。
二极管面接触型
面接触型或称面积型二极管的PN结是用合金法或扩散法做成的,由于这种二极管的PN结面积大,可承受较大电流,但较间电容也大。这类器件适用于整流,而不宜用于高频率电路中。
键型
键型二极管是在锗或硅的单晶片上熔金或银的细丝而形成的。其特性介于点接触型二极管和合金型二极管之间。与点接触型相比较,虽然键型二极管的PN结电容量稍有增加,但正向特性特别优良。多作开关用,有时也被应用于检波和电源整流(不大于50mA)。在键型二极管中,熔接金丝的二极管有时被称金键型,熔接银丝的二极管有时被称为银键型。