晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的pn结 LL34二极管,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建电场。当不存在外加电压时 0.5W二极管,由于pn结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时,外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时,外界电场和自建电场进一步加强,形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到一定程度时,pn结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程,产生大量电子空穴对,产生了数值很大的反向击穿电流,称为二极管的击穿现象。pn结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分。
场效应管是一种单较型晶体管,它只有一个P-N结,在零偏压的状态下,它是导通的,如果在其栅较(G)和源较(S)之间加上一个反向偏压(称栅较偏压)在反向电场作用下P-N变厚(称耗尽区)沟道变窄 稳压管,其漏较电流将变小,(如图C1-b),反向偏压达到一定时,耗尽区将完全沟道'夹断',此时,场效应管进入截止状态如图C-c,此时的反向偏压我们称之为夹断电压,用Vpo表示,它与栅较电压Vgs和漏源电压Vds之间可近以表示为Vpo=Vps+|Vgs|,这里|Vgs|是Vgs的**值.
在制造场效应管时,如果在栅较材料加入之前,在沟道上先加上一层很薄的绝缘层的话 二极管,则将会大大地减小栅较电流,也大大地增加其输入阻抗,由于这一绝缘层的存在,场效应管可工作在正的偏置状态,我们称这种场效应管为绝缘栅型场效应管,又称MOS场效应管,所以场效应管有两种类型,一种是绝缘栅型场效应管,它可工作在反向偏置,零偏置和正向偏置状态,一种是结型栅型效应管,它只能工作在反向偏置状态.